对于双向电压转换，上拉电阻器的设备上的直流电流的采购能力。的N-沟道晶体管的的VGATE栅极偏压被设定在约一个阈值电压（VT）以上在VCC电平的低电压侧。数据可以在任一方向流动，不从控制信号的指导。该O.S.上升沿率的加速器电路的速度了输出压摆率监测的输入边沿过渡，帮助维持通过该设备的数据传输速率。在由低到高的信号的上升沿，O.S.电路开启PMOS晶体管（T1，T2），以增加的电流驱动能力的驱动程序的约30 ns或95％的输入边沿，以先到为准。这提供高边缘速率加速交流驱动器绕过内部10kΩ上拉电阻，在从低到高的转变，加快的信号。的驱动器的输出电阻被降低到约50Ω～70Ω，在此加速阶段。对最小化动态ICC和信号争用的可能性，用户应等待的OS电路，以关断之前，在相反的方向上施加一个信号。最坏情况下的持续时间是等于最小脉冲宽度在本数据手册的时序要求部分号码。