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河间市资格成吉思pFusion闪存宏 发布时间:2013/11/13 9:59:36 中国和圣何塞· , 5月19加州,二零零八年 - 和舰科技公司,中国的开拓纯玩代工,常忆科技公司,一个在非挥发性内存( NVM )解决方案的全球领导者,今天宣布成功嵌入式开发0.18微米浮栅闪存技术具有最高的耐力和宏观最小面积。 与常忆科技紧密合作,河间市开展NVM工艺的发展,通过所有进程资格,核实各种密度的闪存宏,实现了高产目标要求。此外,新的NVM技术已被采纳已经被河间市的几个客户的嵌入式产品的磁带。
“这样的0.18微米嵌入式闪存技术的研制成功,不仅意味着加强河间的嵌入式NVM在快速增长的市场领先地位,说:”杰里昌先生,副总裁兼首席市场及销售总监,河间“但也保证我们坚定地致力于为客户提供最具成本效益和可靠的解决方案。 “
“常忆科技独特的专利2T PMOS细胞结构的关键因素是新的嵌入式闪存技术,如超低功耗,避免干扰,和最小的宏区域实现了显着的优势。 ”援引王立德先生常忆科技首席执行官兼总裁,“同样优秀的是最低的20年的数据保存200K的程序擦除周期保证后,从-40 ℃至105℃的温度条件下的硬质”。
“新的0.18微米嵌入式闪存技术与标准的0.18微米CMOS工艺完全兼容,从而使河间现有的0.18微米逻辑基于IP和库的整合。博士说:” JK林,河间研究及发展总监司, “此外,多个部门的大小可以定制宏为了给一些客户所需要的系统配置更加灵活。 ”
“对于切身关注的问题的NVM ,如生命时间的可靠性,耐久性,访问时间,编程速度快,擦除速度快,功耗,工作电压范围,性能和产量,这项新技术演示突出比其他现有的解决方案相同的技术节点“ JK林博士提到,”它提供了最有吸引力的和最小的宏区域密度可达8M位,其中包括许多嵌入式系统应用。此外,嵌入式技术是可伸缩的。是建立在它的下一代版本目前正在开发更先进的技术节点,并有望实现超过细胞大小减少了40% 。 “
说: “这是一个管理良好的项目,并满腔热情地执行。 ” JH徐河间市首席执行官兼总裁先生,我很高兴通过河间市常忆科技之间的无缝协作的成就,河间扩展其丰富的嵌入式NVM技术的产品。这是非常有帮助满足河间市的客户提供最好的解决方案和服务,以进一步加强我们的竞争地位,在蓬勃发展的嵌入式NVM市场的领导地位。 “
关于和舰科技公司
和舰科技公司,位于苏州工业园区,并于2001年11月成立,是一项开拓性的纯晶圆代工在中国。河间基于其雄厚的技术基础和构建良好的本地供应链,提供各种技术节点,具有竞争力的解决方案和全面的服务,广阔的应用和产品开发的CMOS 0.13um制程。
在IC制造业作为一个领导者,河间不断提高其技术创新,在更先进的工艺开发。此外,巨大的努力,也取得了广泛的增值服务,以满足客户。坚持以客户为导向的文化,河间市提供有吸引力的商业模式,专为每个客户的需求,实现双赢的目的。欲了解更多信息,请参观河间http://www.hjtc.com.cn网站。
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