CEL扩展其强大的小信号的GaAs FET发售 两个新的瑞萨X - Ku波段砷化镓场效应管
发布时间：2013/11/13 9:54:26
圣克拉拉，加利福尼亚 - 2013年10月17日 - 瑞萨电子
加州东部实验室（CEL）介绍NE3516S02
NE3513M04砷化镓场效应晶体管是专门设计
满足苛刻要求的X，Ku波段低噪音
块（LNB）下变频器直接广播卫星。
这些通用的砷化镓场效应晶体管也非常适合
通用X到Ku波段无线通信。
主要特点
这些新的GaAs场效应管提供更好的相关增益和噪声
图比上一代器件的性能。
典型表现在12GHz与偏见2V/10毫安：
NE3516S02：NF=0.35分贝，GA =14分贝（通常用于第一阶段）
NE3513M04：NF=0.45分贝，：GA=13分贝（通常用于第二阶段）
两款器件都保持着令人印象深刻的NF和Ga的2V/6毫安，在较低的偏置，具体如下：
NE3516S02：NF=0.35分贝，GA=13.5分贝
NE3513M04：NF=0.50分贝，GA为12dB
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