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DIG-2115-SM光伏MOSFET/ IGBT驱动器 发布时间:2013/10/24 11:24:05 特点: 光隔离绝缘电阻高
构建表面贴装
适用于手动或自动放置
坚固的建筑,免疫损伤处理
全封闭施工
绝缘光伏IC建设
高开路电压高达20V
快速开启,关闭和活性栅极放电
应用范围:
MOSFET/ IGBT驱动器
医疗植入应用
航空航天/航空固态继电器
A.T.E. (自动测试设备)
医疗测试设备
隔离放大器
从微处理器的I / O端口的负载控制
热电偶打开探测器
说明:
DIG - 2115- SM光伏(PV)是一个国家的最先进的光学耦合,主要用于浮动电源控制MOSFET / IGBT的时是必需的输入和输出之间的电气隔离。除了红外发光二极管和光电二极管阵列,每个DIG - 2115- SM设备包含电路,迅速放电功率MOSFET / IGBT的栅极,当LED被停用。的独特的快速放电特性DIG - 2115- SM使其特别适用高侧开关MOSFET / IGBT的直流电动机的控制和开关稳压器应用。坚固的设计,设有一个金属顶,玻璃两侧的金属底。因此,它是理想的真空手动或自动铅笔装配方法,处理损害几乎是不可能的。施工DIG - 2115- SM允许使用两种标准的焊接组装方法(和熔剂去除清洗)或导电基板环氧附件。只有0.410 x 0.180英寸的足迹尺寸,最大高度为0.110英寸。典型的输入电路的LED与LED串联连接的一个限流电阻。当被激活时, LED的
发射红外光实现的光电二极管阵列,然后作出反应,产生的开路电压(开路电压)和禁用关断电路。自限性的光电二极管阵列的输出是浮动的,因此,可以被安全地直接应用在MOSFET / IGBT , MOSFET / IGBT的源极电势无关。当LED被停用,有源关断电路的MOSFET / IGBT的输入电容放电。的有源关断电路是这样设计的, MOSFET / IGBT的关断时间是相对独立的输入电容在一个范围内的300到15000 pF 。
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