基希海姆/德，德国，17年9月2013年 - 对话半导体有限公司（FWB：DLG），一个提供高度集成的电源管理，音频，AC / DC和短距离无线技术，今天推出业界第一款数字脉冲宽度调制（PWM ）控制器，可以很容易地和有效地推动成本低，10W功率双极结型晶体管（BJT）切换5V/2A智能手机适配器和充电器，以减少BOM成本。新的iW1679允许设计师以取代成本较低的BJT和场效应晶体管（FET），更低的待机功耗和更高的轻载效率和积极的平均智能手机，媒体平板电脑和消费电子产品，满足市场的趋势。Dialog的功率转换业务集团（原iWatt公司公司）开发，iW1679提供对话的目标，以扩大其可寻址市场。

iW1679降低BOM成本，同时实现高效率通过使用Dialog的自适应多模式PWM / PFM控制，动态改变晶体管的开关频率。优化系统，以提高轻负载效率，功耗和EMI。iW1679提供高，83％活性成分的平均效率，在负载为10％的光保持高效率，并实现了<30mW的无负载的待机功耗待机恢复时间快。这使设计人员能够达到或超过全球新兴能源标准，包括建议严格的欧洲COC版本5（1），预计需要76％活性平均效率和高轻负载效率下降到10％负载，以及建议美国能源部（2）规定，预计需要79％的活性平均效率，以及能源之星EPS 2.0（3），这将需要积极的平均效率73％。

“BJT的使用是普遍在5W和较低的电源，Dialog是一个范围广泛的数字PWM控制器设计用于驱动BJT的领导者，”王毅朗（Ron Edgerton），Dialog的功率转换业务集团副总裁兼总经理。iW1679，我们这个广博的知识应用带来相同的低成本，高效率和性能上的优势，以更高功率的应用。“

虽然BJT的降低成本相比，场效应管，BJT驱动器要求更加复杂。iW1679解决了这一挑战，通过使用Dialog的专利的数字控制技术的积极调节晶体管的基极电流驱动。这将优化性能和提高效率，保持BJT的饱和度。由于BJT的有软开关场效应管相比，它们所产生的噪音，因此，有固有的低EMI。iW1679功能对话的EZ-EMI®，内部EMI技术，使用山谷模式切换，以进一步降低EMI，简化制造和减少外部EMI滤波元件的需要。它还包括一个专有的开关模式，导致来自控制器的无噪声。

iW1679降低BOM成本高达10％（4）相比，基于FET的设计。额外的的BOM成本节约来自Dialog的专利的PrimAccurate™初级侧控制技术，无需二次侧稳压器和光学反馈隔离。

iW1679提供了一个用户可配置的，四个级别的电缆压降补偿选项，以消除放养各种输出电压需要多个产品版本的订货和库存的挑战。它有一个标准，低成本，8引脚SOIC封装的故障情况，包括输出短路，输出过压，输出过流，过温保护，并提供充分的保护。

iW1679主要特点

• 输出功率：5W到10W
• 驱动器成本低，10W的BJT电源开关降低BOM成本
• 专利PrimAccurate™初级侧控制，从而提高了可靠性，降低了解决方案的尺寸，降低了BOM成本
• 专有的自适应多模式PWM / PFM优化轻负载效率，EMI和功耗
• 正在申请专利的准谐振控制所有负载条件下优化效率
• 高83％活性平均效率
• 超低<30mW的待机功耗
• 符合严格的全球能源效率标准，包括：欧洲大会第5版，美国能源部能源之星EPS 2.0