TowerJazz宣布推出无线天线开关SOI工艺技术适用于多种无线标准。基于SOI的解决方案的成本远远小于传统的解决方案基于在GaAs pHEMPT的或蓝宝石上硅（SOS）技术。我们的SOI技术是独特的相对于其他SOI过程中，维持充分的相容性，与它的体CMOS工艺集成的控制功能，在一个芯片上的低噪声放大器和功率放大器。高端智能手机最能受益整合SOI的成本较低，而低端手机可以简单地从受益。

TowerJazz SOI工艺结合6或4个金属层，高电阻率SOI衬底的CMOS工艺。这是一个双门1.8V和3.3V或5V的MOSFET和5V RFLDMOS的尺19 GHz和20V击穿0.18μm工艺。3.3V和5V FET的方便的的HVCMOS块集成1.8V场效应管的逻辑功能集成。LDMOS器件提供可靠的，高性能的RF功率。