IXYS集成电路事业部宣布新的700V栅极驱动器，抗干扰能力强 IX2113同时驱动高侧和低侧MOSFET和IGBT - 新闻资讯

IXYS集成电路事业部宣布新的700V栅极驱动器，抗干扰能力强 IX2113同时驱动高侧和低侧MOSFET和IGBT
发布时间：2013/10/4 12:12:45

富康，马萨诸塞州，美国 - 2013年7月18日 - IXYS集成电路部（ ICD ）公司， IXYS公司的全资附属公司（纳斯达克股票代码：IXYS ）宣布，即时提供IX2113高端和低端栅极驱动器IC 。 IX2113是一种高电压IC可以驱动操作高达600V的MOSFET和IGBT 。具有集成高侧和低侧输出功率DMOS晶体管，能够采购和下沉的栅极驱动电流超过2A 。

高电压电平转换电路，允许经营高达600V高侧配置中驱动N沟道功率MOSFET和IGBT的低电压逻辑信号。 IX2113的绝对最大额定值700V高电压应用提供额外的保证金。

IX2113 IXYS ICD先进的HVIC绝缘体上硅（ SOI ）工艺制造，，使得IX2113负瞬变，高温度，高dV / dt噪声的存在非常强大的。

输入是3.3V和5V逻辑兼容。内部为高侧和低侧输出电压下分离电路不允许IX2113的分立功率晶体管的开启，直到有足够的栅极电压。逻辑电源要求小于1μA。

IX2113可以驱动功率分立MOSFET和IGBT半桥，全桥和3相配置。典型的应用包括电机驱动器，高压变频器，不间断电源（ UPS ）， DC / DC转换器。的IX2113补充IXYS ICD广泛的低侧栅极驱动器和光隔离的栅极驱动器组合，全方位的IXYS功率半导体。

“有了这个扩展的高电压半桥式驱动器，我们为客户提供整体解决方案，功率半导体，一个芯片的驱动器和单片机系统提供的数字大脑” ，博士Nathan Zommer的，创始人兼首席执行官IXYS 。 “很少有公司在我们的空间有这种深度的技术和产品，如IXYS ” 。