爱达荷州博伊西，2013年7月16日（GLOBE NEWSWIRE） - 美光科技公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布，它的采样下一代16纳米（nm）工艺技术，从而实现了业界最小的128 - 千兆（GB）的多级单元（MLC）NAND闪存设备。16nm的节点不仅是领先的闪存工艺，但它也是任何抽样半导体设备最先进的加工节点。它巩固了美光科技公司的领导地位，在存储技术的发展，实现公司的愿景，提供最先进的半导体解决方案。

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针对消费类固态硬盘，移动存储设备（USB驱动器和闪存卡），平板电脑，超薄设备，手机和数据中心云存储的应用程序，如美光科技公司的128GB的MLC NAND闪存设备。新的128GB NAND闪存提供了最大的数位存在任何MLC器件每平方毫米和最低的成本。事实上，这项新技术可以创造出近6TB存储容量的单晶片上。

，美光科技公司NAND解决方案集团副总裁Glen Hawk说：“美光科技公司的专责工程师，不知疲倦地介绍了世界上最小，最先进的闪存制造技术”。“我们的客户不断要求更高的能力，较小的外形，，这个下一代工艺节点允许美光科技引领市场，在满足这些需求。”

“降低成本将始终是到NAND产业的根本，使公司谁可以继续引领闪存工艺技术将有望成功，尤其是在垂直整合的解决方案，”根据Gartner的数据。

美光采样约为16nm 128GB MLC NAND与选择合作伙伴，并计划在4Q13将在满负荷生产。美光科技公司也正在开发固态驱动器（SSD）解决方案基于在这些设备上，预计出货16nm的闪存固态硬盘在2014年的新线。