IX2113是一种高电压积体电路，可驱动高速MOSFET和IGBT工作在高达+600 V。IX2113配置了独立的高侧和低侧参考输出通道，这两者能源和汇2A。浮动通道可驱动高侧N沟道功率MOSFET或IGBT 600V的公共参考点。

IX2113上IXYS集成电路科的专有高电压BCDMOS在SOI（绝缘体上硅）工艺制造，极其坚固，几乎是负瞬变免疫。UVLO电路防止导通，直到有足够的V _BS或V _CC电源电压的MOSFET或IGBT 。在高频率的应用中使用的传输延迟匹配。

IX2113采用16引脚SOIC封装。

IX2113数据表

• 浮动通道引导操作，以+600 V绝对最大额定值为700 V
• 输出能够采购和下沉2A
• 栅极驱动电压范围从10V到20V
• 由于SOI工艺，增强鲁棒性
• 耐负电压瞬变的dV / dt免疫
• 3.3V逻辑兼容
• 高侧和低侧输出欠压锁定
• 匹配的传输延时